激光刻蝕ITO有殘留如何處理？
發布(bu)時間：2020-04-13 點(dian)擊(ji)量：3553
貝先生 2020-04-13
激(ji)光刻蝕ITO有殘(can)留如何處理？
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激(ji)(ji)光刻蝕ITO、FTO、氧化鎳等透明導(dao)電氧化物(wu)有(you)殘留的原因(yin)大(da)體上分為兩種。一種是因(yin)為選用的激(ji)(ji)光波長或激(ji)(ji)光工(gong)作模式(shi)不對(dui)以及設(she)置(zhi)工(gong)藝(yi)參數不對(dui)造成的技術(shu)層面(mian)殘留；第二種是由于刻蝕線(xian)寬太窄，激(ji)(ji)光加工(gong)后的煙霧殘留，未(wei)能清除干凈(jing)造成二次污染形成。
第一種(zhong)解決(jue)方(fang)案(an)是(shi)(shi)重(zhong)新調整技術參數，如(ru)(ru)果(guo)是(shi)(shi)硬件原因(yin)(yin)(yin)造成(cheng)，建議增大刻(ke)蝕的(de)線寬觀察是(shi)(shi)否仍(reng)有殘留，可通(tong)過改變硬件條件改善。第二種(zhong)解決(jue)方(fang)案(an)是(shi)(shi)增加(jia)吹氣(qi)及抽(chou)塵裝(zhuang)置，部分廠家售(shou)賣機器并未考慮到這(zhe)個因(yin)(yin)(yin)素，元祿光(guang)電(dian)根據公(gong)司產(chan)(chan)品(pin)(pin)經驗推薦使(shi)用煙霧凈化裝(zhuang)置，尤其(qi)是(shi)(shi)在北方(fang)冬(dong)天，需(xu)要注(zhu)意防范(fan)，另外(wai)某(mou)些特殊場(chang)合下(xia)還需(xu)要增加(jia)等(deng)離子(zi)風作為(wei)吹氣(qi)設施，保證加(jia)工過程中不會(hui)因(yin)(yin)(yin)為(wei)空氣(qi)中的(de)水分子(zi)造成(cheng)產(chan)(chan)品(pin)(pin)壽命的(de)降(jiang)低(di)，造成(cheng)產(chan)(chan)品(pin)(pin)材料降(jiang)解、分解等(deng)，如(ru)(ru)鈣鈦礦電(dian)池(chi)。
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