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導電(dian)(dian)銀(yin)漿、ITO、FTO、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鋅、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鋯、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鈦、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)鎳(nie)、碳(tan)粉、金(jin)、銀(yin)、銅、鋁等導電(dian)(dian)金(jin)屬(shu)、石墨烯、碳(tan)納(na)米(mi)管(guan)、氧(yang)(yang)(yang)化(hua)物(wu)、鈣(gai)鈦礦電(dian)(dian)池(chi)Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣(gai)鈦礦電(dian)(dian)池(chi)材(cai)料激(ji)光刻蝕劃線處(chu)理
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可根據需求將整個(ge)加工部分(fen)置(zhi)入手(shou)套(tao)箱內加工
根(gen)據(ju)不同場景的需求,配置納秒脈寬(kuan)的紅外光(guang)纖(1064nm)、綠光(guang)(532nm)波段(duan)光源;皮秒脈(mo)寬(kuan)的紅外光纖(1064nm)、綠(lv)光(532nm)、紫外(wai)(355nm)波段光源;飛秒脈寬的紅(hong)外光纖(1030nm)、綠光(guang)(515nm)波段(duan)光(guang)(guang)源進(jin)行微精細激(ji)光(guang)(guang)刻(ke)蝕、劃線、構造去除、劃片、表(biao)面剝離等應用。
適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等(deng)基底(di)材料上的(de)鈣鈦礦(kuang)太陽(yang)能(neng)電池激光刻蝕劃線(xian)應用(yong)。
玻(bo)璃、PET、PI、PNT等基底上薄(bo)膜材料激光刻蝕(shi),應用于觸摸屏、光伏太(tai)陽(yang)能電(dian)池、電(dian)至色玻璃等行(xing)業(ye)。
適用(yong)于(yu)導(dao)電銀漿、ITO、FTO、氧化(hua)(hua)鋅、氧化(hua)(hua)鋯、氧化(hua)(hua)鈦、氧化(hua)(hua)鎳、碳(tan)粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳(tan)納米管(guan)、氧化(hua)(hua)物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等(deng)材(cai)料(liao)處理。特(te)別是針對鈣(gai)鈦(tai)礦電池(chi)領(ling)域的陰電極、鈣(gai)鈦(tai)礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣(gai)鈦(tai)礦層、陽(yang)電極激光刻蝕(shi)劃線技(ji)術上有獨到的技(ji)術優(you)勢。
采(cai)用自主研發的控(kong)制軟件(jian)、直接導入CAD 數據CCD相機(ji)定(ding)位自動(dong)激光刻蝕,操作(zuo)簡單,方便快捷;采(cai)用通過軟件(jian)實(shi)時調(diao)節(jie)振(zhen)鏡(jing)與直線電(dian)(dian)機(ji)、電(dian)(dian)動(dong)升降工(gong)(gong)作(zuo)臺(tai)的(de)設計,加(jia)上(shang)真空(kong)吸附托盤裝置(zhi),能有(you)效地解決激光刻蝕加(jia)工(gong)(gong)運(yun)行中的(de)平(ping)穩性(xing)。
設備集數控(kong)技(ji)術、激光技(ji)術、軟件(jian)技(ji)術等光機電高(gao)(gao)(gao)技(ji)術于一(yi)體,具有(you)高(gao)(gao)(gao)靈(ling)活(huo)性、高(gao)(gao)(gao)精度(du)(du)、高(gao)(gao)(gao)速度(du)(du)等先(xian)進(jin)制造(zao)技(ji)術的(de)(de)特征。可大范圍內進(jin)行各種(zhong)圖案,各種(zhong)尺寸的(de)(de)精密、高(gao)(gao)(gao)速刻蝕,并且能夠保(bao)證很高(gao)(gao)(gao)的(de)(de)產能,是一(yi)個可靠、穩定(ding)和具有(you)高(gao)(gao)(gao)性能價(jia)格比的(de)(de)產品(pin)。
主要構(gou)成(cheng):激光器(qi)、光路系(xi)統(tong)(tong)、運動(dong)控制系(xi)統(tong)(tong)、電控制系(xi)統(tong)(tong)、定位系(xi)統(tong)(tong)、抽塵系(xi)統(tong)(tong)、真吸附空系(xi)統(tong)(tong)、大理石龍門結(jie)構(gou)、鈑金結(jie)構(gou)件等。
型(xing)號 | 納秒綠光ET200MG | 皮秒綠光(guang) ET300MGPS | 皮秒紫外(wai) ET300UV-PS | 飛秒紅外 ET300IR-FS | 飛(fei)秒綠光 ET300MG-FS | 實驗室刻蝕(shi)機(ji) ET100IR/ET100MG | |
激光(guang)器 | 532nm | 532nm | 355nm | 1030nm | 515nm | 1064/532nm | |
功率 | 5/10W | 10/15/30W | 10/15/30W | 20/30/40W | 10W | 20W/5W | |
加工尺寸 | 100*100/200*200/300*300/400*300/600*600/600*900/700*1400mm可選 可定制(zhi)加工幅面(mian) | 110*110mm可選(xuan) | |||||
激光器頻率 | 30-150KHz | 1-1000KHz | 1-1000KHz | 25-5000KHz | 25-5000KHz | 1-2000KHz/ 30-100khz | |
振鏡 | 10/14mm通光孔徑 | 10mm通光(guang)孔徑(jing) | |||||
聚焦鏡 | 40*40/70*70/110*110mm幅面(mian)(根(gen)據不同的應(ying)用場景選擇) | 100-140mm可選(xuan) | |||||
擴束鏡 | 4X | 2-8X可調 | 1.5X | ||||
聚(ju)焦(jiao)光斑 | <30μm | <10μm | <50μm | ||||
最小線(xian)寬 | <30μm | <10μm | <50μm | ||||
最大可根據需要可全部去除鍍層(ceng)材料,如P4清邊(bian)處理 | |||||||
最小線間(jian)距 | <30μm | <10μm | <50μm | ||||
熱影響區(qu) | <5μm | <3μm | |||||
直線(xian)度 | ±10μm | ±5μm(最小(xiao)可至±1μm) | ±20μm | ||||
Z軸(zhou)電機行(xing)程(cheng) | 50mm(自動軟件控制) | 手(shou)動500mm | |||||
工作臺定位(wei)精度 | ±3μm | ±20μm | |||||
工(gong)作臺重復精度(du) | ±1μm | ±20μm | |||||
CCD相機定位精(jing)度 | ±3μm | ±10μm | |||||
刻蝕速度(du) | 最大刻蝕速度4000mm/s(單線) | ||||||
設備尺寸/重量(liang) | 1200*1200*1700mm(300*00mm幅面內(nei)) 約1000Kg 納秒 大尺(chi)寸及雙(shuang)光路 1280*1400*1750mm(300*300mm幅(fu)面(mian)內) 約1800Kg 皮秒(miao)/飛秒 電話聯系 1800*1800*1750mm(600*600mm幅(fu)面內) 約2500kg皮秒/飛秒 | 1050*700*1660mm(L*W*H) 約300Kg | |||||
設備功(gong)耗 | <2500W | <3000W | <1500W | ||||
設(she)備文(wen)件(jian)格(ge)式 | 標(biao)準CAD DXF文件 | DXF/PLT/JPG等 | |||||
備(bei)注:量產后一般采(cai)用多種波段激(ji)光配合使用,非單臺(tai)機器完成所有膜層(ceng)制作。 |
溫馨提(ti)示:我公司提(ti)供(gong)“樣品免費加工”服(fu)務,您(nin)只需提(ti)交(jiao)以下信息(xi),我們會有專人(ren)與您(nin)聯系。您(nin)也(ye)可以直接來(lai)電垂詢。服(fu)務熱線:135-4505-0045。
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